通态电流Is可用下式表示:Is=(+Bpnp)Ims式中Ims——流过MOSFET的电流。
igbt工作特点动态特性动态特性又称开关特性,igbt的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。 IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。
igbt处于导通态时,由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管,所以其B值极低。 尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET的电流成为igbt总电流的主要部分。 此时,通态电压Us(n)可用下式表示::Us(n)=Uj+Ur+IRh式中Uj——JI结的正向电压,其值为~V;Ur——扩展电阻Rr上的压降;Rh——沟道电阻。
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